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IGBT de meia ponte, ZG50HFL, ZG75HFL, ZG100HFL, 600-1200V

ZG50/75/100HFL120C1S, módulo IGBT, meia ponte, 50/75/100A 600V-1200V, chips Infineon

    descrição2

    Apresentamos o módulo IGBT ZG50/75/100HFL120C1S, uma solução de ponta para aplicações de alta potência. Este módulo IGBT está disponível nas configurações de 50/75/100A 1200V e foi projetado com chips Infineon utilizando uma arquitetura de meia ponte para desempenho otimizado.
    O módulo IGBT está equipado com a tecnologia soft punch-through (SPT+), que proporciona maior eficiência e confiabilidade, tornando-o ideal para aplicações industriais exigentes. A inclusão de diodos CAL de reversão rápida garante uma comutação rápida e eficiente, enquanto o recurso de curto-circuito de 10 µs do módulo oferece proteção e segurança adicionais.
    Uma das características marcantes deste módulo IGBT é o seu coeficiente de temperatura VCE(on) positivo, que contribui para um desempenho estável e consistente em diversas condições de operação. Além disso, sua embalagem padrão da indústria permite fácil integração em projetos e sistemas existentes, economizando tempo e esforço durante a instalação.
    Os módulos IGBT ZG50/75/100HFL120C1S são ideais para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo inversores de alta potência, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), sistemas de alimentação ininterrupta (UPS), máquinas de solda e acionamentos de servomotores e robôs CC. Sua versatilidade e design robusto o tornam um componente valioso para engenheiros e projetistas que trabalham em diferentes projetos.
    Em resumo, os módulos IGBT ZG50/75/100HFL120C1S oferecem a combinação perfeita de tecnologia avançada, desempenho confiável e ampla aplicabilidade. Seja para projetar um inversor de alta potência ou uma fonte de alimentação chaveada complexa, este módulo IGBT certamente atenderá às suas necessidades e superará suas expectativas.
    DIAGRAMA DE CIRCUITO E MÓDULO IGBT DE ALTA POTENCIA SPT+ DE 2 UNIDADES
    Módulo IGBT, 5075100A 1200V (5)t4b
    Classificações máximas absolutas
    Módulo IGBT, 5075100A 1200V (1)vc4
    Características térmicas e mecânicas
    Módulo IGBT, 5075100A 1200V (4)nak
    Informações técnicas e especificações sujeitas a alterações sem aviso prévio.
    Tc = 25℃, salvo indicação em contrário.
    CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DO IGBT
    Módulo IGBT, 5075100A 1200V (2)kh4
    Características elétricas do Frd
    Módulo IGBT, 5075100A 1200V (3)ebr
    Informações técnicas e especificações sujeitas a alterações sem aviso prévio.
    Tc = 25℃, salvo indicação em contrário.
    DESCRIÇÃO DO PACOTE
    Módulo IGBT, 5075100A 1200V (1)mqk

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