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IGBT demi-pont, ZG50HFL, ZG75HFL, ZG100HFL, 600-1200 V
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Découvrez le module IGBT ZG50/75/100HFL120C1S, une solution de pointe pour les applications haute puissance. Disponible en configurations 50/75/100 A 1200 V, ce module IGBT est conçu avec des puces Infineon et une architecture en demi-pont pour des performances optimales.
Le module IGBT est doté de la technologie de commutation douce (SPT+), qui offre une efficacité et une fiabilité accrues, le rendant idéal pour les applications industrielles exigeantes. L'intégration de diodes CAL à commutation inverse douce rapide garantit une commutation rapide et efficace, tandis que la protection contre les courts-circuits de 10 µs du module assure une sécurité renforcée.
L'un des atouts majeurs de ce module IGBT réside dans son coefficient de température VCE(on) positif, garantissant des performances stables et constantes quelles que soient les conditions de fonctionnement. De plus, son boîtier standard facilite son intégration dans les systèmes et conceptions existants, ce qui représente un gain de temps et d'efforts considérable lors de l'installation.
Les modules IGBT ZG50/75/100HFL120C1S sont parfaitement adaptés à une grande variété d'applications de puissance, notamment les onduleurs de forte puissance, les alimentations à découpage (SMPS), les alimentations sans interruption (UPS), les machines à souder et les variateurs de vitesse pour servomoteurs et robots. Leur polyvalence et leur conception robuste en font un composant précieux pour les ingénieurs et les concepteurs travaillant sur différents projets.
En résumé, les modules IGBT ZG50/75/100HFL120C1S offrent une combinaison idéale de technologie de pointe, de fiabilité et de polyvalence. Que vous conceviez un onduleur de forte puissance ou une alimentation à découpage complexe, ce module IGBT répondra à vos exigences et dépassera vos attentes.
Schéma de circuit et module IGBT haute puissance de type SPT+ (pack de 2)

Valeurs maximales absolues

Caractéristiques thermiques et mécaniques

Les informations et spécifications techniques peuvent être modifiées sans préavis.
Tc = 25 °C sauf indication contraire
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES DES IGBT

Caractéristiques électriques du FRD

Les informations techniques et les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.
Tc = 25 °C sauf indication contraire
DESCRIPTION DU FORFAIT







