Halbbrücken-IGBT, ZG50HFL, ZG75HFL, ZG100HFL, 600–1200 V

Wir präsentieren das IGBT-Modul ZG50/75/100HFL120C1S – eine innovative Lösung für Hochleistungsanwendungen. Dieses IGBT-Modul ist in den Ausführungen 50/75/100 A und 1200 V erhältlich und mit Infineon-Chips in Halbbrückenbauweise für optimale Leistung ausgestattet.

Das IGBT-Modul ist mit der Soft-Punch-Through-Technologie (SPT+) ausgestattet, die für höhere Effizienz und Zuverlässigkeit sorgt und es somit ideal für anspruchsvolle Industrieanwendungen macht. Der Einsatz schneller Soft-Reverse-CAL-Dioden gewährleistet schnelles und effizientes Schalten, während die Kurzschlussfestigkeit von 10 µs zusätzlichen Schutz und Sicherheit bietet.

Eine der herausragenden Eigenschaften dieses IGBT-Moduls ist sein positiver VCE(on)-Temperaturkoeffizient, der zu einer stabilen und gleichbleibenden Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen beiträgt. Darüber hinaus ermöglicht das branchenübliche Gehäuse eine einfache Integration in bestehende Designs und Systeme und spart somit Zeit und Aufwand bei der Installation.

Die IGBT-Module ZG50/75/100HFL120C1S eignen sich ideal für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen, darunter Hochleistungswechselrichter, Schaltnetzteile (SMPS), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Schweißgeräte sowie DC-Servo- und Roboterantriebe. Ihre Vielseitigkeit und robuste Bauweise machen sie zu einer wertvollen Komponente für Ingenieure und Entwickler in unterschiedlichsten Projekten.

Zusammenfassend bieten die IGBT-Module ZG50/75/100HFL120C1S die perfekte Kombination aus fortschrittlicher Technologie, zuverlässiger Leistung und breitem Anwendungsspektrum. Ob Sie einen Hochleistungswechselrichter oder ein komplexes Schaltnetzteil entwickeln – dieses IGBT-Modul wird Ihre Anforderungen mit Sicherheit erfüllen und Ihre Erwartungen übertreffen.

Thermische und mechanische Eigenschaften